1N6006B-TP中文资料
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- 大小：164KB
- 厂家：
- 描述：Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：单二极管/齐纳
- 系列：-
- 电压 - 齐纳（标称）(Vz)：18V
- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1.5V @ 100mA
- 电流 - 在 Vr 时反向漏电：100nA @ 14V
- 容差：±5%
- 功率 - 最大：500mW
- 阻抗（最大）(Zzt)：42 欧姆
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商设备封装：DO-35
- 包装：Digi-Reel®
- 工作温度：-65°C ~ 200°C
- 其它名称：1N6006B-TPMSDKR
1N6006B-TP供应商
更新时间:2022-12-31 10:18:38
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